Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-4EWH02FN-M3

KEY Part #: K6449339

VS-4EWH02FN-M3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [114050पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.32036
  • 10 pcs$0.28278
  • 25 pcs$0.26578
  • 100 pcs$0.21685
  • 250 pcs$0.20142
  • 500 pcs$0.17143
  • 1,000 pcs$0.13714
  • 2,500 pcs$0.12428
  • 5,000 pcs$0.11571

भाग संख्या:
VS-4EWH02FN-M3
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK. Rectifiers 4A 200V Hyperfast 23ns FRED Pt
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-4EWH02FN-M3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : VS-4EWH02FN-M3
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 200V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 4A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 950mV @ 4A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 20ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 3µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : D-PAK (TO-252AA)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -65°C ~ 175°C

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