Vishay Semiconductor Diodes Division - RGL34BHE3/83

KEY Part #: K6457675

RGL34BHE3/83 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [618527पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.05980
  • 9,000 pcs$0.05420

भाग संख्या:
RGL34BHE3/83
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGL34BHE3/83 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : RGL34BHE3/83
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213
श्रृंखला : SUPERECTIFIER®
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 100V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 500mA
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.3V @ 500mA
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 150ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 5µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F : 4pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : DO-213AA (Glass)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DO-213AA (GL34)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -65°C ~ 175°C

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