IPP12CN10LGXKSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [48206पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.77767
- 10 pcs$0.70324
- 100 pcs$0.56510
- 500 pcs$0.43952
- 1,000 pcs$0.34449
- भाग संख्या:
- IPP12CN10LGXKSA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IPP12CN10LGXKSA1 electronic components. IPP12CN10LGXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP12CN10LGXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPP12CN10LGXKSA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IPP12CN10LGXKSA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
श्रृंखला :
OptiMOS™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
69A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
12 mOhm @ 69A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.4V @ 83µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
58nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
5600pF @ 50V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
125W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TO220-3
प्याकेज / केस :
TO-220-3
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