Infineon Technologies - IRF9Z34NSTRRPBF

KEY Part #: K6419913

IRF9Z34NSTRRPBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [143745पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.25731
  • 800 pcs$0.24699

भाग संख्या:
IRF9Z34NSTRRPBF
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction and Thyristors - TRIACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Infineon Technologies IRF9Z34NSTRRPBF electronic components. IRF9Z34NSTRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF9Z34NSTRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF9Z34NSTRRPBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRF9Z34NSTRRPBF
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
श्रृंखला : HEXFET®
भाग स्थिति : Not For New Designs
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 55V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 19A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 100 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 620pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 3.8W (Ta), 68W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : D2PAK
प्याकेज / केस : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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