IXYS Integrated Circuits Division - IXDI602D2TR

KEY Part #: K1225656

IXDI602D2TR मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [185683पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.23372
  • 2,000 pcs$0.23255

भाग संख्या:
IXDI602D2TR
निर्माता:
IXYS Integrated Circuits Division
विस्तृत विवरण:
2A 8 DFN DUAL INVERTING. Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: पीएमआईसी - भोल्टेज नियामकहरू - रैखिक नियामक नियंत्, घडी / समय - ढिलाइ लाइनहरू, PMIC - प्रकाश, गिट्टी कन्ट्रोलरहरू, घडी / समय - घडी जेनरेटर, PLLs, फ्रिक्वेन्सी सिंथेस, मेमोरी - नियन्त्रक, घडी / समय - घडी बफरहरू, ड्राइभरहरू, इम्बेडेड - FPGAs (क्षेत्र प्रोग्रामिंग गेट एरे) मा and PMIC - पावर ओभर ईथरनेट (PoE) कन्ट्रोलरहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXDI602D2TR उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IXDI602D2TR
निर्माता : IXYS Integrated Circuits Division
वर्णन : 2A 8 DFN DUAL INVERTING
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
ड्राइभ कन्फिगरेसन : Low-Side
च्यानल प्रकार : Independent
चालकहरूको संख्या : 2
गेट प्रकार : IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
भोल्टेज - आपूर्ति : 4.5V ~ 35V
तर्क भोल्टेज - VIL, VIH : 0.8V, 3V
वर्तमान - चुचुरो आउटपुट (स्रोत, सिंक) : 2A, 2A
इनपुट प्रकार : Inverting
उच्च साइड भोल्टेज - अधिकतम (बुटस्ट्र्याप) : -
उठ्नुहोस् / पतन समय (प्रकार) : 7.5ns, 6.5ns
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-VDFN Exposed Pad
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-DFN-EP (5x4)

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