Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-8S2TH06I-M

KEY Part #: K6444889

[2296पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    VS-8S2TH06I-M
    निर्माता:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    विस्तृत विवरण:
    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and Thyristors - TRIACs ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-8S2TH06I-M electronic components. VS-8S2TH06I-M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-8S2TH06I-M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VS-8S2TH06I-M उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : VS-8S2TH06I-M
    निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
    वर्णन : DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
    श्रृंखला : FRED Pt®
    भाग स्थिति : Obsolete
    डायोड प्रकार : Standard
    भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 600V
    वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 8A
    भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 3.1V @ 8A
    गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    उल्टो रिकभरी समय (trr) : 16ns
    वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 50µA @ 600V
    Capacitance @ Vr, F : -
    माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
    प्याकेज / केस : TO-220-2
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220-2
    अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 175°C

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