Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-HFA06TB120PBF

KEY Part #: K6443878

VS-HFA06TB120PBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [17382पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.76512
  • 10 pcs$0.68652
  • 25 pcs$0.64755
  • 100 pcs$0.55168
  • 250 pcs$0.51803
  • 500 pcs$0.45327
  • 1,000 pcs$0.37557
  • 2,500 pcs$0.33076
  • 5,000 pcs$0.32668

भाग संख्या:
VS-HFA06TB120PBF
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 1.2KV 6A TO220AC.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and डायोडहरू - जेनर - एर्रे ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-HFA06TB120PBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : VS-HFA06TB120PBF
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 1.2KV 6A TO220AC
श्रृंखला : HEXFRED®
भाग स्थिति : Discontinued at Digi-Key
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 1200V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 6A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 3V @ 6A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 80ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 5µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : TO-220-2
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220AC
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C

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