Vishay Semiconductor Diodes Division - BAV21-TAP

KEY Part #: K6454592

BAV21-TAP मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [3494821पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.01058
  • 50,000 pcs$0.00797

भाग संख्या:
BAV21-TAP
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 200V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAV21-TAP उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : BAV21-TAP
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 200V 250MA DO35
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 200V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 250mA (DC)
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1V @ 100mA
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 50ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 100nA @ 150V
Capacitance @ Vr, F : 1.5pF @ 0V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : DO-204AH, DO-35, Axial
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DO-35
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : 175°C (Max)

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    Vishay Semiconductor Diodes Division

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  • BYM10-400-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated