Infineon Technologies - IDH10G120C5XKSA1

KEY Part #: K6442453

IDH10G120C5XKSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [10390पीसी स्टक]

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  • 10 pcs$3.55513
  • 100 pcs$2.94326
  • 500 pcs$2.56293
  • 1,000 pcs$2.23223

भाग संख्या:
IDH10G120C5XKSA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - TRIACs, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - जेनर - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDH10G120C5XKSA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IDH10G120C5XKSA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2
श्रृंखला : CoolSiC™
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Silicon Carbide Schottky
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 1200V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 10A (DC)
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.8V @ 10A
गति : No Recovery Time > 500mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 0ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 62µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F : 525pF @ 1V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : TO-220-2
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-TO220-2-1
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 175°C

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