Infineon Technologies - IPP200N15N3GXKSA1

KEY Part #: K6399478

IPP200N15N3GXKSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [27833पीसी स्टक]

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  • 10 pcs$1.10086
  • 100 pcs$0.88453
  • 500 pcs$0.68798
  • 1,000 pcs$0.57004

भाग संख्या:
IPP200N15N3GXKSA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP200N15N3GXKSA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IPP200N15N3GXKSA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
श्रृंखला : OptiMOS™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 150V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 50A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 8V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 20 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 90µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1820pF @ 75V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 150W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-TO220-3
प्याकेज / केस : TO-220-3

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