Vishay Semiconductor Diodes Division - S3JHE3_A/I

KEY Part #: K6427410

S3JHE3_A/I मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [495660पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.07462
  • 3,500 pcs$0.06823

भाग संख्या:
S3JHE3_A/I
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB. Rectifiers 3A 600V 100A@8.3ms Single Die Auto
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू and डायोडहरू - आरएफ ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division S3JHE3_A/I electronic components. S3JHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S3JHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S3JHE3_A/I उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : S3JHE3_A/I
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 600V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 3A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.15V @ 2.5A
गति : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 2.5µs
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 10µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : DO-214AB, SMC
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DO-214AB (SMC)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C

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