[1270पीसी स्टक]
- भाग संख्या:
- IRF6709S2TR1PBF
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IRF6709S2TR1PBF electronic components. IRF6709S2TR1PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF6709S2TR1PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF6709S2TR1PBF उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IRF6709S2TR1PBF
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1
श्रृंखला :
HEXFET®
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
25V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
12A (Ta), 39A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
7.8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.35V @ 25µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
12nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1010pF @ 13V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1.8W (Ta), 21W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
DIRECTFET S1
प्याकेज / केस :
DirectFET™ Isometric S1
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