Toshiba Semiconductor and Storage - RN1421TE85LF

KEY Part #: K6526049

RN1421TE85LF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [989644पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.04407
  • 3,000 pcs$0.04385

भाग संख्या:
RN1421TE85LF
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN1421TE85LF electronic components. RN1421TE85LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN1421TE85LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN1421TE85LF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : RN1421TE85LF
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
ट्रान्जिस्टर प्रकार : NPN - Pre-Biased
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 800mA
भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 50V
प्रतिरोधक - बेस (R1) : 1 kOhms
प्रतिरोधक - इमिटर बेस (R2) : 1 kOhms
DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce : 60 @ 100mA, 1V
Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी : 250mV @ 2mA, 50mA
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : 500nA
फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण : 300MHz
पावर - अधिकतम : 200mW
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : S-Mini

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