GeneSiC Semiconductor - MSRTA200100(A)D

KEY Part #: K6468783

MSRTA200100(A)D मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1076पीसी स्टक]

  • 1 pcs$40.21856
  • 18 pcs$27.59312

भाग संख्या:
MSRTA200100(A)D
निर्माता:
GeneSiC Semiconductor
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER. Rectifiers 1000V 200A Forward
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MSRTA200100(A)D electronic components. MSRTA200100(A)D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MSRTA200100(A)D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MSRTA200100(A)D उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : MSRTA200100(A)D
निर्माता : GeneSiC Semiconductor
वर्णन : DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड कन्फिगरेसन : 1 Pair Series Connection
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 1000V
वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड) : 200A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.1V @ 200A
गति : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : -
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 10µA @ 1000V
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C
माउन्टिंग प्रकार : Chassis Mount
प्याकेज / केस : Three Tower
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : Three Tower
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