Microsemi Corporation - APT60N60SCSG/TR

KEY Part #: K6395855

APT60N60SCSG/TR मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [6132पीसी स्टक]

  • 1 pcs$7.69558
  • 400 pcs$7.65729

भाग संख्या:
APT60N60SCSG/TR
निर्माता:
Microsemi Corporation
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, Thyristors - TRIACs, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT60N60SCSG/TR उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : APT60N60SCSG/TR
निर्माता : Microsemi Corporation
वर्णन : MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
श्रृंखला : CoolMOS™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 60A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 45 mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.9V @ 3mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 190nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 7200pF @ 25V
FET फिचर : Super Junction
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 431W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : D3Pak
प्याकेज / केस : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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