भाग संख्या :
CRY68(TE85L,Q,M)
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
DIODE ZENER 6.8V 700MW SFLAT
भोल्टेज - जेनर (नाम) (Vz) :
6.8V
प्रतिबाधा (अधिकतम) (Zzt) :
60 Ohms
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
10µA @ 3V
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
1V @ 200mA
अपरेटिंग तापमान :
-40°C ~ 150°C
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
S-FLAT (1.6x3.5)