ON Semiconductor - FCPF150N65F

KEY Part #: K6399663

FCPF150N65F मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [23320पीसी स्टक]

  • 1 pcs$1.76721
  • 1,000 pcs$1.52295

भाग संख्या:
FCPF150N65F
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 650V 14.9A TO220F.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - SCRs, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCPF150N65F उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : FCPF150N65F
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : MOSFET N-CH 650V 14.9A TO220F
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 14.9A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 150 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 5V @ 2.4mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 94nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 3737pF @ 100V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 39W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220F
प्याकेज / केस : TO-220-3 Full Pack

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