TPN1R603PL,L1Q मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [177661पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.21865
- 5,000 pcs$0.21756
- भाग संख्या:
- TPN1R603PL,L1Q
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPN1R603PL,L1Q electronic components. TPN1R603PL,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPN1R603PL,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPN1R603PL,L1Q उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
TPN1R603PL,L1Q
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
श्रृंखला :
U-MOSIX-H
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
80A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
1.6 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.1V @ 300µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
41nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
3900pF @ 15V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
104W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
175°C
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
प्याकेज / केस :
8-PowerVDFN
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