STMicroelectronics - STFI26NM60N

KEY Part #: K6415388

STFI26NM60N मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [12427पीसी स्टक]

  • 1 pcs$2.48555
  • 10 pcs$2.21804
  • 100 pcs$1.81864
  • 500 pcs$1.47263
  • 1,000 pcs$1.24198

भाग संख्या:
STFI26NM60N
निर्माता:
STMicroelectronics
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK FP.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and डायोडहरू - आरएफ ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STFI26NM60N उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : STFI26NM60N
निर्माता : STMicroelectronics
वर्णन : MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK FP
श्रृंखला : MDmesh™ II
भाग स्थिति : Obsolete
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 20A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 165 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 60nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±25V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1800pF @ 50V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 35W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : I2PAKFP (TO-281)
प्याकेज / केस : TO-262-3 Full Pack, I²Pak

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