भाग संख्या :
BSZ086P03NS3GATMA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
13.5A (Ta), 40A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
6V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
8.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.1V @ 105µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
57.5nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
4785pF @ 15V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
2.1W (Ta), 69W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TSDSON-8
प्याकेज / केस :
8-PowerTDFN