भाग संख्या :
SI3460DV-T1-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
5.1A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
1.8V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
450mV @ 1mA (Min)
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
20nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1.1W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
6-TSOP
प्याकेज / केस :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6