भाग संख्या :
PHX45NQ11T,127
वर्णन :
MOSFET N-CH 110V 30.4A SOT186A
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
110V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
30.4A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
25 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
61nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
2600pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
62.5W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220F
प्याकेज / केस :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab