Diodes Incorporated - ZXMN2F30FHQTA

KEY Part #: K6393747

ZXMN2F30FHQTA मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [663036पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.05579
  • 3,000 pcs$0.05025

भाग संख्या:
ZXMN2F30FHQTA
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू and डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN2F30FHQTA उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : ZXMN2F30FHQTA
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 4.9A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 2.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 45 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 4.8nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±12V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 452pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1.4W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SOT-23-3
प्याकेज / केस : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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