STL26NM60N मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [29323पीसी स्टक]
- 1 pcs$1.41257
- 3,000 pcs$1.40554
- भाग संख्या:
- STL26NM60N
- निर्माता:
- STMicroelectronics
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in STMicroelectronics STL26NM60N electronic components. STL26NM60N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STL26NM60N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STL26NM60N उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
STL26NM60N
निर्माता :
STMicroelectronics
वर्णन :
MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT
श्रृंखला :
MDmesh™ II
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
2.7A (Ta), 19A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
185 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
60nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1800pF @ 50V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
125mW (Ta), 3W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerFlat™ (8x8) HV
प्याकेज / केस :
8-PowerVDFN
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