Toshiba Semiconductor and Storage - 1SS196(TE85L,F)

KEY Part #: K6449027

1SS196(TE85L,F) मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1694228पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.02304
  • 3,000 pcs$0.02292

भाग संख्या:
1SS196(TE85L,F)
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching Diode S-Mini High
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - DIACs, SIDACs and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1SS196(TE85L,F) उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : 1SS196(TE85L,F)
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 80V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 100mA
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.2V @ 100mA
गति : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 4ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 500nA @ 80V
Capacitance @ Vr, F : 3pF @ 0V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : SC-59-3
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : 125°C (Max)

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