भाग संख्या :
SIUD412ED-T1-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
12V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
500mA (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
1.2V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
340 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
900mV @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
0.71nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
21pF @ 6V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1.25W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerPAK® 0806
प्याकेज / केस :
PowerPAK® 0806