[156पीसी स्टक]
- भाग संख्या:
- IPP26CNE8N G
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 85V 35A TO-220.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IPP26CNE8N G electronic components. IPP26CNE8N G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP26CNE8N G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPP26CNE8N G उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IPP26CNE8N G
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 85V 35A TO-220
श्रृंखला :
OptiMOS™
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
85V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
35A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
26 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 39µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
31nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
2070pF @ 40V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
71W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TO220-3
प्याकेज / केस :
TO-220-3
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
- PHD66NQ03LT,118
- BSC079N03SG
- AO4443L
- FQPF10N60C_F105
- NDD60N745U1T4G
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- BUK7Y53-100B,115
- SIUD406ED-T1-GE3