Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG10M-E3/TR

KEY Part #: K6456600

BYG10M-E3/TR मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [739474पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.05002
  • 1,800 pcs$0.04701
  • 3,600 pcs$0.04231
  • 5,400 pcs$0.03996
  • 12,600 pcs$0.03643
  • 45,000 pcs$0.03408

भाग संख्या:
BYG10M-E3/TR
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A. Rectifiers 1.5 Amp 1000 Volt
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG10M-E3/TR उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : BYG10M-E3/TR
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Avalanche
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 1000V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 1.5A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.15V @ 1.5A
गति : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 4µs
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 1µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : DO-214AC, SMA
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DO-214AC (SMA)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C

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