भाग संख्या :
FCMT250N65S3
निर्माता :
ON Semiconductor
वर्णन :
SUPERFET3 650V PQFN88
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
12A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
250 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4.5V @ 1.2mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
24nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1010pF @ 400V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
90W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
Power88
प्याकेज / केस :
4-PowerTSFN