भाग संख्या :
ZXMN2A02N8TA
निर्माता :
Diodes Incorporated
वर्णन :
MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
8.3A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
2.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
20 mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
700mV @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
18.9nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1900pF @ 10V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1.56W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-SO
प्याकेज / केस :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)