Infineon Technologies - BSS606NH6327XTSA1

KEY Part #: K6399826

BSS606NH6327XTSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [390012पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.09484
  • 1,000 pcs$0.08261

भाग संख्या:
BSS606NH6327XTSA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS606NH6327XTSA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : BSS606NH6327XTSA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
श्रृंखला : OptiMOS™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 3.2A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 60 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.3V @ 15µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 5.6nC @ 5V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 657pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1W (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-SOT89
प्याकेज / केस : TO-243AA

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