Toshiba Semiconductor and Storage - TPN4R303NL,L1Q

KEY Part #: K6416406

TPN4R303NL,L1Q मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [247410पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.15701
  • 5,000 pcs$0.15623

भाग संख्या:
TPN4R303NL,L1Q
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs and ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R303NL,L1Q electronic components. TPN4R303NL,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPN4R303NL,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPN4R303NL,L1Q उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : TPN4R303NL,L1Q
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON
श्रृंखला : U-MOSVIII-H
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 40A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 4.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.3V @ 200µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 14.8nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1400pF @ 15V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 700mW (Ta), 34W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
प्याकेज / केस : 8-PowerVDFN

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