TPN4R203NC,L1Q मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [223414पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.17387
- 5,000 pcs$0.17301
- भाग संख्या:
- TPN4R203NC,L1Q
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू and Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R203NC,L1Q electronic components. TPN4R203NC,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPN4R203NC,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPN4R203NC,L1Q उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
TPN4R203NC,L1Q
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
श्रृंखला :
U-MOSVIII
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
23A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
4.2 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.3V @ 200µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
24nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1370pF @ 15V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
700mW (Ta), 22W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
प्याकेज / केस :
8-PowerVDFN
ताजा समाचारहरू
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तातो पार्ट्स
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- IPI60R385CPXKSA1
- ZXMN6A25K
- ZXMN6A25G
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- NDPL100N10BG
- IPU60R2K1CEBKMA1
- IRL530S
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