Vishay Semiconductor Diodes Division - RGL41MHE3_A/I

KEY Part #: K6439460

RGL41MHE3_A/I मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [607281पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.06091

भाग संख्या:
RGL41MHE3_A/I
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1A,1000V,500NS,FS. AEC-Q101 Qualified
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGL41MHE3_A/I उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : RGL41MHE3_A/I
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 1000V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 1A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.3V @ 1A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 500ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 5µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : DO-213AB, MELF (Glass)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DO-213AB
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -65°C ~ 175°C

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