ON Semiconductor - 2N7000TA

KEY Part #: K6418000

2N7000TA मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1197457पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.03089
  • 2,000 pcs$0.03002

भाग संख्या:
2N7000TA
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2N7000TA उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : 2N7000TA
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 200mA (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : -
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 50pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 400mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-92-3
प्याकेज / केस : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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