Toshiba Semiconductor and Storage - HN1D02FU(T5L,F,T)

KEY Part #: K6474712

[6347पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    HN1D02FU(T5L,F,T)
    निर्माता:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    विस्तृत विवरण:
    DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage HN1D02FU(T5L,F,T) electronic components. HN1D02FU(T5L,F,T) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HN1D02FU(T5L,F,T), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HN1D02FU(T5L,F,T) उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : HN1D02FU(T5L,F,T)
    निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
    वर्णन : DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Active
    डायोड कन्फिगरेसन : 2 Pair Common Cathode
    डायोड प्रकार : Standard
    भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 80V
    वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड) : 100mA
    भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.2V @ 100mA
    गति : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    उल्टो रिकभरी समय (trr) : 4ns
    वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 500nA @ 80V
    अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : 125°C (Max)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    प्याकेज / केस : SOT-563, SOT-666
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : US6

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