SI7455DP-T1-E3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [66291पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.59278
- 3,000 pcs$0.58983
- भाग संख्या:
- SI7455DP-T1-E3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction and डायोडहरू - आरएफ ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SI7455DP-T1-E3 electronic components. SI7455DP-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7455DP-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI7455DP-T1-E3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SI7455DP-T1-E3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
श्रृंखला :
TrenchFET®
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
P-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
80V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
28A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
6V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
25 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
155nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
5160pF @ 40V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerPAK® SO-8
प्याकेज / केस :
PowerPAK® SO-8
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