Cree/Wolfspeed - C3M0120090J-TR

KEY Part #: K6399302

C3M0120090J-TR मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [13467पीसी स्टक]

  • 1 pcs$3.07552
  • 800 pcs$3.06022

भाग संख्या:
C3M0120090J-TR
निर्माता:
Cree/Wolfspeed
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 900V 22A.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

C3M0120090J-TR उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : C3M0120090J-TR
निर्माता : Cree/Wolfspeed
वर्णन : MOSFET N-CH 900V 22A
श्रृंखला : C3M™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : SiCFET (Silicon Carbide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 900V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 22A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 15V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 155 mOhm @ 15A, 15V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.5V @ 3mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 17.3nC @ 15V
Vgs (अधिकतम) : +18V, -8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 350pF @ 600V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 83W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : D2PAK-7
प्याकेज / केस : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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