[2678पीसी स्टक]
- भाग संख्या:
- IPA80R650CEXKSA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 800V TO-220-3.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IPA80R650CEXKSA1 electronic components. IPA80R650CEXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPA80R650CEXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPA80R650CEXKSA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IPA80R650CEXKSA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
श्रृंखला :
CoolMOS™ CE
भाग स्थिति :
Discontinued at Digi-Key
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
800V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
4.5A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
650 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.9V @ 470µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
45nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1100pF @ 100V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
33W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TO220 Full Pack
प्याकेज / केस :
TO-220-3 Full Pack
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तातो पार्ट्स
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- SPB80N06S2-07
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- IRFPC50LC
- IRL640
- IRFB9N65A
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- IPS70R360P7SAKMA1
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- TK8A50D(STA4,Q,M)
- RCD050N20TL
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- IRFR024NTRLPBF
- NX7002BKVL