भाग संख्या :
TPC8125,LQ(S
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
10A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
13 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2V @ 500µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
64nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
+20V, -25V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
2580pF @ 10V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-SOP
प्याकेज / केस :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)