IPB160N04S4LH1ATMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [82489पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.47401
- 1,000 pcs$0.43487
- भाग संख्या:
- IPB160N04S4LH1ATMA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH TO263-7.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - आरएफ, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IPB160N04S4LH1ATMA1 electronic components. IPB160N04S4LH1ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB160N04S4LH1ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPB160N04S4LH1ATMA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IPB160N04S4LH1ATMA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH TO263-7
श्रृंखला :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
40V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
160A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
1.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.2V @ 110µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
190nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
+20V, -16V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
14950pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
167W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TO263-7-3
प्याकेज / केस :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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