SQJ443EP-T1_GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [152759पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.24213
- 3,000 pcs$0.20465
- भाग संख्या:
- SQJ443EP-T1_GE3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET P-CH 40V 40A POWERPAKSO-8.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू and Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SQJ443EP-T1_GE3 electronic components. SQJ443EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ443EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQJ443EP-T1_GE3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SQJ443EP-T1_GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET P-CH 40V 40A POWERPAKSO-8
श्रृंखला :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
P-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
40V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
40A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
29 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
57nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
2030pF @ 20V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
83W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TA)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerPAK® SO-8
प्याकेज / केस :
PowerPAK® SO-8
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तातो पार्ट्स
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- STW26NM50
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- NTB75N03L09T4G
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- NP83P06PDG-E1-AY
- IRL1404ZL
- IRF7807VD1TR
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- IXFV20N80P
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- IPC020N10L3X1SA1
- ES6U1T2R