Renesas Electronics America - UPA2814T1S-E2-AT

KEY Part #: K6393898

UPA2814T1S-E2-AT मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [192066पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.20225
  • 5,000 pcs$0.20124

भाग संख्या:
UPA2814T1S-E2-AT
निर्माता:
Renesas Electronics America
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 30V 24A 8HWSON.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू and डायोडहरू - आरएफ ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UPA2814T1S-E2-AT उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : UPA2814T1S-E2-AT
निर्माता : Renesas Electronics America
वर्णन : MOSFET P-CH 30V 24A 8HWSON
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 24A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 7.8 mOhm @ 24A, 5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : -
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 74nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2800pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1.5W (Ta)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-HWSON (3.3x3.3)
प्याकेज / केस : 8-PowerWDFN

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