Toshiba Semiconductor and Storage - ULN2803APG,CN

KEY Part #: K6392280

[6229पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    ULN2803APG,CN
    निर्माता:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    विस्तृत विवरण:
    TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प and Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage ULN2803APG,CN electronic components. ULN2803APG,CN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ULN2803APG,CN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ULN2803APG,CN उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : ULN2803APG,CN
    निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
    वर्णन : TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
    श्रृंखला : -
    भाग स्थिति : Obsolete
    ट्रान्जिस्टर प्रकार : 8 NPN Darlington
    वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) : 500mA
    भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) : 50V
    Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी : 1.6V @ 500µA, 350mA
    वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम) : -
    DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce : 1000 @ 350mA, 2V
    पावर - अधिकतम : 1.47W
    फ्रिक्वेन्सी - संक्रमण : -
    अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 85°C (TA)
    माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
    प्याकेज / केस : 18-DIP (0.300", 7.62mm)
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 18-DIP

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