GeneSiC Semiconductor - 2N7639-GA

KEY Part #: K6404287

2N7639-GA मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2064पीसी स्टक]

  • 10 pcs$146.91564

भाग संख्या:
2N7639-GA
निर्माता:
GeneSiC Semiconductor
विस्तृत विवरण:
TRANS SJT 650V 15A TO-257.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2N7639-GA उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : 2N7639-GA
निर्माता : GeneSiC Semiconductor
वर्णन : TRANS SJT 650V 15A TO-257
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Obsolete
FET प्रकार : -
टेक्नोलोजी : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 15A (Tc) (155°C)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : -
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 105 mOhm @ 15A
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : -
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : -
Vgs (अधिकतम) : -
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1534pF @ 35V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 172W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 225°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-257
प्याकेज / केस : TO-257-3
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
  • CPH6355-TL-H

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  • IRFR7440PBF

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