Cree/Wolfspeed - C3M0120090D

KEY Part #: K6407004

C3M0120090D मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [13854पीसी स्टक]

  • 1 pcs$2.97472

भाग संख्या:
C3M0120090D
निर्माता:
Cree/Wolfspeed
विस्तृत विवरण:
900V 120 MOHM G3 SIC MOSFET.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

C3M0120090D उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : C3M0120090D
निर्माता : Cree/Wolfspeed
वर्णन : 900V 120 MOHM G3 SIC MOSFET
श्रृंखला : C3M™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : SiCFET (Silicon Carbide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 900V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 23A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 15V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 155 mOhm @ 15A, 15V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.5V @ 3mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 17.3nC @ 15V
Vgs (अधिकतम) : +18V, -8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 350pF @ 600V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 97W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-247-3
प्याकेज / केस : TO-247-3

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