Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N4448TAP

KEY Part #: K6455256

1N4448TAP मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [4676071पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.00835
  • 10,000 pcs$0.00831
  • 30,000 pcs$0.00747
  • 50,000 pcs$0.00664
  • 100,000 pcs$0.00623
  • 250,000 pcs$0.00554

भाग संख्या:
1N4448TAP
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/75V Io/150mA
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू and डायोडहरू - जेनर - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4448TAP उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : 1N4448TAP
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 75V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 150mA
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 720mV @ 5mA
गति : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 8ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 5µA @ 75V
Capacitance @ Vr, F : 4pF @ 0V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
प्याकेज / केस : DO-204AH, DO-35, Axial
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DO-35
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : 175°C (Max)

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