SQJ465EP-T1_GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [146630पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.25225
- 3,000 pcs$0.21317
- भाग संख्या:
- SQJ465EP-T1_GE3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET P-CH 60V 8A POWERPAKSO-8.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल and डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SQJ465EP-T1_GE3 electronic components. SQJ465EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ465EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQJ465EP-T1_GE3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SQJ465EP-T1_GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET P-CH 60V 8A POWERPAKSO-8
श्रृंखला :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
P-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
8A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
85 mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
40nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1140pF @ 30V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
45W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TA)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerPAK® SO-8
प्याकेज / केस :
PowerPAK® SO-8
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