Vishay Siliconix - SISH114ADN-T1-GE3

KEY Part #: K6397576

SISH114ADN-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [282943पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.13072

भाग संख्या:
SISH114ADN-T1-GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 30V POWERPAK 1212.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - आरएफ, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Vishay Siliconix SISH114ADN-T1-GE3 electronic components. SISH114ADN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISH114ADN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISH114ADN-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SISH114ADN-T1-GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET N-CH 30V POWERPAK 1212
श्रृंखला : TrenchFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 18A (Ta), 35A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 7.5 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1230pF @ 15V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 3.7W (Ta), 39W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PowerPAK® 1212-8SH
प्याकेज / केस : PowerPAK® 1212-8SH

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