IPS65R1K0CEAKMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [272498पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.13574
- 1,500 pcs$0.12460
- भाग संख्या:
- IPS65R1K0CEAKMA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IPS65R1K0CEAKMA1 electronic components. IPS65R1K0CEAKMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPS65R1K0CEAKMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPS65R1K0CEAKMA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IPS65R1K0CEAKMA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3
श्रृंखला :
CoolMOS™ CE
भाग स्थिति :
Not For New Designs
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
4.3A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.5V @ 200µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
15.3nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
328pF @ 100V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
37W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-251
प्याकेज / केस :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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